据韩国媒体《MoneyToday》消息，三星计划将2021年DRAM资本支出维持在2020年水平，但会将某些DRAM产线转换为图像传感器产线。亦即，2021年三星将事实上减少DRAM资本支出。
此前就有消息称，三星电子将于2021年将一座DRAM厂转换成用以生产CMOS图像传感器（CIS），预计届时CIS产量将较目前提升约20%。
与此同时，SK海力士对DRAM的投资也保持保守，并增加晶圆代工和NAND方面的资本支出。
从去年12月开始，内存市场不仅备货需求积极，而且市场DDR颗粒和内存条涨价明显。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价显示，一个多月以来，渠道内存条DDR4UDIMM16GB2666累积涨幅已超过20%；行业内存条DDR4SODIMM16GB2666累积涨幅也已达15.5%。据报道，就目前市场而言，内存条市场价格涨价明显，且向上行情有望持续，三星DRAM保守投资，可维持稳健的市场供需关系，同时保持业务收益表现。
来源:MoneyToday
