SKHynix刚刚宣布了176层NAND闪存芯片，特点是从传统设计升级到了PUC方案。在最大限度提高生产效率的同时，还可以减小存储芯片的尺寸。WCCFTech指出，作为4DNAND闪存芯片系列的最新一代，海力士已于上月向主控企业提供了样品，以推动相关产品的上市。
从96层NAND闪存芯片开始，海力士一直在推动4D技术的发展。本文介绍的176层NAND芯片，已经发展到第三代。从制造上来说，其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。
海力士NAND开发负责人JungDalChoi表示：“闪存行业正在努力改善技术，以实现高集成度和高产量。同时作为4DNAND的先驱，海力士将引领业内最高的技术和产能”。
性能方面，第三代4DNAND技术可提升单元读取速度和数据传输速率，此外176层NAND闪存芯片采用了2分区单元阵列选择技术。
其原理是将存储单元分成了两个部分，调用电阻更低、读取速度更快。通过不增加处理数量的加速技术（确保数据调用请求能够快速响应），第三代4DNAND还可将传输速率提升33%。
然后是能够实时自动校正的超精密对准技术，其特点是能够保障堆栈之间的电流稳定性，进而确保可靠的性能。
展望未来，海力士希望开发出基于176层4DNAND技术的Tb级产品。在此之前，美光已经发布了176层NAND，并且推出了基于英睿达品牌的产品。
